30 | 11 | 2020
Главное меню
Смотри
Статистика
Пользователи : 1
Статьи : 4024
Просмотры материалов : 11765342

Коллеги
Посетители
Рейтинг@Mail.ru
Советую
Online
  • [Bot]
  • [Mail.Ru]
  • [Yandex]
Сейчас на сайте:
  • 26 гостей
  • 3 роботов
Новые пользователи:
  • Administrator
Всего пользователей: 1
RSS
Подписка на новости
Электронно лучевая технология PDF Печать E-mail
Автор: Administrator   
20.09.2010 16:38

Электронно лучевая технология

В последние два десятилетия происходило исключительно быстрое развитие технологии и областей применения микроэлектроники. Микроэлектроника достигла уровня, в настоящее время определя,ющего практически все аспекты гражданской и военной электронной аппаратуры. Микроэлектроника**, в частности интегральные схемы, уже вызвала глубокие изменения в самых различных областях техники — IBM, управляющих систем в промышленности, электроники военного применения, наручных часов, автомобилей и фотоаппаратов. Существенно уменьшены, особенно в последние годы, размеры микроэлектронных приборов, улучшены-их характеристики: например, схемы на транзисторах могут работать с рабочей частотой свыше 1 ГГц, хотя еще сравнительно недавно ставилась -задача достичь частоты 10 МГц.
Несмотря на столь быструю эволюцию, во многих областях требуются еще более высокие параметры (в частности, меньшая потребляемая мощность и большее быстродействие) и большая функциональная плотность компонентов; во всех случаях необходимы более высокая надежность и меньшая стоимость. Чтобы удовлетворить эти требования, в микроэлектронной промышленности вынуждены внедрять новейшие методы обработки, изготовления и управления (контроля) технологическими процессами. Одним из наиболее перспективных способов достижения этих целей является уменьшение размеров приборов — создание ИС с повышенной функциональной плотностью компонентов. Такие ИС позволяют увеличить Рабочую частоту и снизить потребляемую мощность. Повышение выхода годных структур, связанное с уменьшением размеров кристаллов (при сохранении большого числа выполняемых функций)', приводит к снижению стоимости и предположительно к повышению надежности. Таким образом, увеличение функциональной плотности является и целью, и стимулом развития технологии.
Современный процесс оптической ФЛ может быть назван краеугольным камнем технологии изготовления ИС. Однако в ряду основных технологических процессов изготовления ИС фотолитография характеризуется наименьшим выходом годных. Помимо этого, ФЛ как метод формирования рисунка не может обеспечить требуемых параметров и функциональной плотности компонентов в разработке новейших микроэлектронных приборов. Поэтому необходим новый, отличный от ФЛ процесс формирования рисунка, которому в свою очередь требуются новые дополняющие технологические процессы. Для достижения желаемых параметров, стоимости и надежности необходимы также сложнейшие методы технологического контроля в сочетании с автоматизацией процессов изготовления и управления ими с помощью процессоров.
Большими возможностями для решения перечисленных задач обладают разные виды излучений с большой энергией, в частности электронное, ионное и лазерное [7, 9 — 11, 62]. Так, ионные пучки можно применять для внедрения атомов примеси в полупроводник в дополнение к диффузии или взамен нее. С помощью электронного луча можно формировать рисунок в слое резиста. В настоящее время для этого применяют фотолитографию. С помощью лазерного и электронного лучей можно проводить отжиг дефектов кристаллической структуры пластин с лучшими результатами, чем в высокотемпературных печах. Преимуществом использования в технологических процессах и для исследовательских целей пучков (особенно пучков заряженных частиц) является их способность производить то же действие, какое обеспечивают традиционные методы, но качественно иным путем. Поэтому можно ожидать существенных изменений получаемых результатов, и эти ожидания оправдываются на практике. Например, лазерные лучи и ионные пучки успешно применяются для подгонки номиналов пленочных резисторов и ионного легирования соответственно. Электронный луч можно применять для создания рисунков с меньшими размерами и лучшей разрешающей способностью по сравнению е самым совершенным фотолитографическим процессом. Есть основания считать, что достаточно скоро удастся ослабить действие факторов, ухудшающих выход годных структур, снизить плотность дефектов в структуре и создать электронно-лучевые установки (ЗЛУ) для экономически эффективного производства приборов. Технология ЭЛЛ выходит из стен лаборатории и внедряется в производство, она дает начало новому поколению литографических процессов и высокоэффективных средств для изготовления микроэлектронных приборов.
Цель этой книги — описать технологические процессы и оборудование для литографии с высокой разрешающей,способностью, используемые при изготовлении микроэлектронных приборов, а также определить ее место в общем технологическом цикле. Настоящая глава знакомит читателя с новой технологией, причем упор
сделан на основные технические и экономические факторы, от которых зависит практическое внедрение технологии ЭЛЛ.

СКАЧАТЬ

Обновлено 01.10.2010 16:22
 
Для тебя
Читай
Товарищи
Друзья