22 | 03 | 2019
Главное меню
Смотри
Статистика
Пользователи : 1
Статьи : 3923
Просмотры материалов : 9405372

Коллеги
Посетители
Рейтинг@Mail.ru
Советую
Online
  • [Bot]
  • [Mail.Ru]
  • [Yandex]
Сейчас на сайте:
  • 17 гостей
  • 3 роботов
Новые пользователи:
  • Administrator
Всего пользователей: 1
RSS
Подписка на новости
Полупроводниковые приборы в SPICE PDF Печать E-mail
Автор: Administrator   
17.01.2017 07:58

Полупроводниковые приборы в SPICE

Глава 2 - Твердотельный Теория устройства


SPICE (s imulation р rogram, я ntegrated с ircuit е mphesis) Электронная программа моделирования предоставляет элементы схемы и модели для полупроводников. Имена элементов SPICE начинаются с D, Q, J, или м соответствует диод, BJT, JFET и MOSFET элементов соответственно. Эти элементы сопровождаются соответствующими "модели" Эти модели имеют обширный перечень параметров, описывающих устройство. Хотя, мы не перечислять их здесь. В этом разделе мы приводим очень краткий список простых моделей специй для полупроводников, достаточно просто, чтобы начать работу. Более подробную информацию о моделях и обширный список параметров модели см Kuphaldt. [TRK] Эта ссылка также дает инструкции по использованию SPICE.

Диод: Оператор диод начинает с именем элемента диода , который должен начинаться с "г" плюс дополнительные символы. Некоторые имена элементов Пример диодов включают: d1, d2, dtest, DA, DB, D101 и т.д. Два числа узлов указать подключение анода и катода, соответственно, к другим компонентам. Номера узлов следуют название модели, со ссылкой на ".MODEL" заявление.

Модель заявление строка начинается с ".MODEL", за которым следует название модели, соответствующие одной или более операторов диода. Далее идет "d", указывающий, что диод моделируется. Остальная часть модели заявления является список дополнительных параметров диода вида ИмяПараметра = ParameterValue. На данном этапе не показано в приведенном ниже примере. Для получения списка см ссылке "диодов". [TRK]

  Общий вид: d [имя] [анода] [катод] [модель]
                 .MODEL [ModelName] d ([parmtr1 = х] [parmtr2 = у]...)
 
  Пример: d1 1 2 mod1
                  .MODEL mod1 d
 

Модели для чисел конкретных диодных части часто предоставляемые производителем полупроводникового диода. Эти модели включают в себя параметры. В противном случае, параметры по умолчанию, так называемые "значения по умолчанию", как показано в примере.

BJT, биполярный транзистор: Оператор элемент BJT начинается с имени элемента , который должен начинаться с "Q" с попутным знаков символа схемы, например , условное обозначение: q1, q2, QA, qgood. Числа BJT узлов (соединений) определить проводку коллектора, базы, эмиттера соответственно. Имя модели следующие номера узлов связана с моделью заявления.

  Общий вид: Q [имя] [коллектор] [база] [эмиттера] [модель]
                 .MODEL [ModelName] [NPN или PNP] ([parmtr1 = х]...)
 
  Пример: q1 2 3 0 mod1
                .MODEL mod1 ПНП
  Пример: д2 7 8 9 q2n090
                .MODEL q2n090 NPN (БФ = 75)
 

Модель утверждение начинается с ".MODEL", за которым следует название модели, а затем один из "NPN" или "ПНП". Дополнительный список параметров следует, и может продолжаться в течение нескольких строк, начинающихся с символа строки продолжения "+", плюс. Показанный выше прямой параметр β устанавливается на 75 для гипотетической модели q2n090. Детализированные модели транзистора часто доступны от производителей полупроводников.

FET, полевой транзистор Оператор транзисторный элемент эффект поля начинается с именем элемента , начиная с "J" для JFET , связанные с некоторыми уникальными персонажами, например: J101, J2b, jalpha и т.д. номера узлов следуют за сливу, затвором и истоком клеммы, соответственно. Номера узлов определяют возможность соединения с другими компонентами схемы. И, наконец, название модели указывает на модель JFET использовать.

  Общий вид: J [имя] [сливного] [ворота] [источник] [модель]
                 .MODEL [ModelName] [NJF или PJF] ([parmtr1 = х]...)
 
  Пример: j1 2 3 0 mod1
                 .MODEL mod1 PJF
                 j3 4 5 0 mod 2
                 .MODEL mod2 NJF (вто = -4,0)
 

".MODEL" В JFET модели заявления следуют название модели, чтобы идентифицировать эту модель на JFET элемент оператора (ов), используя его. После названия модели либо PJF или NJF для р-канала или п-канала JFET-х соответственно. Длинный список параметров JFET может последовать. Мы только покажем , как установить V P, отщипывать напряжение, чтобы -4.0 V для модели JFET п-канала. В противном случае этот параметр вто по умолчанию -2.5 V или 2.5V для п-канала или устройств с каналом р-, соответственно.

МОП - транзистор, полевой транзистор оксида металла Имя элемента МОП - транзистор должен начинаться с "м", и это первое слово в операторе элемента. Ниже приведены четыре номера узлов для сливу, ворота, источника и подложки, соответственно. Далее идет название модели. Отметим, что источник и субстрат оба подключены к одному узлу "0" в примере. Дискретные МОП ПТ упакованы в три терминальных устройств, источник и подложки и тот же физический терминал. Встроенный MOSFET являются четыре терминальных устройств; подложка представляет собой четвертый вывод. Интегрированный МОП-транзистор может иметь множество устройств разделяющих один и тот же субстрат, отдельно от источников. Хотя, источники по-прежнему могут быть подключены к общей подложке.

  Общий вид: м [имя] [сливного] [ворота] [источник] [субстрат] [модель]
                 .MODEL [ModelName] [NMOS или PMOS] ([parmtr1 = х]...)
 
  Пример: м1 2 3 0 0 Mod1
                 m5 5 6 0 0 Mod4
                 .MODEL PMOS Mod1
                 .MODEL Mod4 NMOS (вто = 1)    
 

МОП-транзистор модели утверждение начинается с ".MODEL", за которым следует название модели с последующим либо "PMOS" или "NMOS". Дополнительные параметры МОП-транзистор модели следуют. Список возможных параметров долго. См Том 5, "МОП-транзистор" для деталей. [TRK] производители МОП - транзисторов обеспечивают детальные модели. В противном случае, по умолчанию действуют.

Голый минимум информации полупроводниковой SPICE представлена ​​в данном разделе. Модели, показанные здесь, позволяют моделировать принципиальных схем. В частности, эти модели не учитывают высокой скорости или в условиях высокой частоты. Моделирование приведены в Том 5 Глава 7, "Использование SPICE ...".

  • ОБЗОР:
  • Полупроводники могут быть компьютерное моделирование с SPICE.
  • SPICE предоставляет отчетность элементов и модели для диода, БЮТ, JFET и МОП-транзистора.
 
Для тебя
Читай
Товарищи
Друзья