18 | 12 | 2017
Главное меню
Смотри
Статистика
Пользователи : 1
Статьи : 2871
Просмотры материалов : 7999165

Посетители
Рейтинг@Mail.ru
Советую
Online
  • [Bot]
  • [Google]
Сейчас на сайте:
  • 17 гостей
  • 2 роботов
Новые пользователи:
  • Administrator
Всего пользователей: 1
RSS
Подписка на новости
Последние новости
Структура мощных биполярных транзисторов PDF Печать E-mail
Автор: Administrator   
03.12.2016 06:58

Структура мощных

биполярных транзисторов

Мощные биполярные транзисторы разных производителей имеют

разную структуру. Основные технологии их производства — это эпитакси-

альная и планарная . Эпитаксиальные транзисторы более

устойчивы к воздействию окружающей среды и имеют более широкий

диапазон безопасных сочетаний напряжения и токов. Транзисторы,

изготовленные по планарной технологии, обладают более высокой

частотной характеристикой и имеют более высокую скорость

переключения, у них, к тому же, более высокий коэффициент усиления по току.

Поэтому, в зависимости от назначения силовой схемы, определяются

определенные параметры мощного транзистора, и по ним выбирается

тот или иной тип транзистора.

При монтаже схемы нельзя ни в коем случае заменять выбранный

тип мощного транзистора на другой, так это приведет к

неработоспособности схемы.

Следует упомянуть о старой технологии изготовления мощных

биполярных транзисторов — однократной диффузии (рис. 7.5). Структура

транзистора формировалась одновременной диффузией легирующих

материалов с двух сторон тонкой подложки л-типа. Транзисторы такой

структуры обладали более широким диапазоном безопасного сочетания

напряжения и тока и были очень надежными. Однако эта технология

уже не используется. Хотя современные технологии, по мнению автора,

не обеспечивают такого высокого уровня параметров силовых

транзисторов.

Кроме биполярных мощных транзисторов, изготавливаются

мощные полевые МОП-транзисторы. Они способны выполнять задачи,

которые не под силу планарным транзисторам.

Структура потужних

біполярних транзисторів

Потужні біполярні транзистори різних виробників мають

різну структуру. Основні технології їх виробництва — це эпитакси-

альная і планарная . Епітаксіальні транзистори більші

стійкі до дії довкілля і мають ширший

діапазон безпечних поєднань напруги і струмів. Транзистори,

виготовлені за планарной технологією, мають вищу

частотною характеристикою і мають вищу швидкість

перемикання, у них, до того ж, вищий коефіцієнт посилення по струму.

Тому, залежно від призначення силової схеми, визначаються

певні параметри потужного транзистора, і по них вибирається

той або інший тип транзистора.

При монтажі схеми не можна ні в якому разі замінювати вибраний

тип потужного транзистора на іншій, так це приведе до

непрацездатності схеми.

Слід згадати про стару технологію виготовлення потужних

біполярних транзисторів — одноразової дифузії (мал. 7.5). Структура

транзистора формувалася одночасною дифузією тих, що легують

матеріалів з двох сторін тонкої підкладки л-типу. Транзистори такий

структури мали ширший діапазон безпечного поєднання

напруги і струму і були дуже надійними. Проте ця технологія

вже не використовується. Хоча сучасні технології, на думку автора

не забезпечують такого високого рівня параметрів силових

транзисторів.

Окрім біполярних потужних транзисторів, виготовляються

потужні польові МОН-ТРАНЗИСТОР. Вони здатні виконувати завдання,

які не під силу планарным транзисторам.

 
Для тебя
Читай
Товарищи
Друзья